a,b，中电纵深分别采用强限域、中度限域和弱限域模型所拟合的尺寸曲线。
这一垂直结构的短沟道类脑神经形态晶体管成功模拟了伤害感受器的疼痛阈值、联韩对先前损伤的记忆、疼痛敏化/脱敏等重要特征。湖南大学机械与运载工程学院段辉高、放输陈艺勤团队在器件微纳加工方面的支持。
配电图3突触传递下降调节控制(a) 生物突触的示意图。价改图文简介图1：疼痛神经信息传递原理图(左)。推进这种具有先进疼痛感知功能的神经形态氧化物晶体管可以使得智能光电设备根据不同的目的对外界刺激产生不同的敏感度,为下一代高性能智能传感光电设备开辟了新的途径。
中电纵深(d)施加固定电刺激(0.6V)的不同脉冲宽度(10~200ms)的EPSC响应。联韩文献链接Sub-10nmVerticalOrganic/InorganicHybridTransistorforPain-Perceptualand Sensitization-RegulatedNociceptorEmulation,2019,Adv.Mater. DOI:10.1002/adma.201906171.本文由课题组供稿。
放输(e)器件对不同频率脉冲刺激的EPSC响应。
配电(c)连续施加400个不同幅值（4~1.6V）脉冲的EPSC响应。价改6.具有fct晶相的PdM(M=Zn,Cd,ZnCd)纳米片（DOI：1021/acsnano.9b07775）香港城市大学和南洋理工大学的张华教授团队在ACSNano上报道了fct晶相的PdM(M=Zn,Cd,ZnCd)纳米片的合成。
详细的研究表明，推进高密度的缺陷与氧原子结合形成RuOxHy物种，这有助于OER。楼雄文教授的空心纳米结构，中电纵深美不胜收。
联韩一起来看看纳米材料绚丽的七十二变吧。放输(Y.Xiaetal.,J.Am.Chem.Soc.,2015,137, 7947–7966)以上关于纳米材料的形貌控制生长理论主要参考了夏幼南老师课题组的经典综述文章YounanXiaetal.,Angew.Chem.Int.Ed.2009,48,60–103。